Pesquisadores confirmam a existência do altermagnetismo e abrem nova frente de pesquisa na física fundamental
Pesquisadores confirmaram a existência do altermagnetismo no telureto de manganês utilizando o síncrotron Swiss Light Source. O estudo, publicado na Nature, identificou o desdobramento de bandas associado ao spin por meio de cálculos ab initio e técnicas de fotoemissão
A verificação experimental do altermagnetismo estabelece uma nova frente de pesquisa na física fundamental, identificando uma categoria magnética que diverge dos modelos clássicos de ferromagnetismo e antiferromagnetismo. Confirmada por meio de instalações de radiação síncrotron, a descoberta possibilita avanços no armazenamento de informações e em estudos de espintrônica.
O fenômeno foi observado no síncrotron Swiss Light Source (SLS), através de um esforço conjunto entre o Instituto Paul Scherrer e uma equipe internacional liderada por um centro tcheco. O grupo utilizou cálculos ab initio e técnicas de fotoemissão para analisar o comportamento de elétrons em cristais, identificando o desdobramento de bandas associado ao spin, característica que define a assinatura do altermagnetismo.
O estudo, publicado na revista Nature, detalhou esses mecanismos no telureto de manganês (MnTe). Nesse material, a simetria da rede cristalina promove a separação dos estados eletrônicos por spin, enquanto os momentos magnéticos se alternam em escala local. Essa configuração dispensa a necessidade de quebra da inversão espacial ou de magnetização líquida.
A base teórica do fenômeno, desenvolvida por Libor Šmejkal, foi validada pelos dados espectroscópicos e simulações conduzidas por Juraj Krempaský, que liderou a etapa experimental no síncrotron. A integração entre as medições de laboratório e a estrutura eletrônica permitiu a explicação dessa nova fase magnética.
Ao reunir atributos de ferromagnetos e antiferromagnetos, o altermagnetismo permite a geração de efeitos semelhantes ao efeito Hall anômalo e a manipulação de correntes de spin sem a dependência de magnetização macroscópica. Essa propriedade fundamenta o desenvolvimento de sensores e dispositivos de memória com maior densidade e velocidade, além de viabilizar a eletrônica de baixo consumo energético e a redução da dependência de elementos estratégicos.