Tecnologia

Huawei apresenta tecnologia de encapsulamento de chips para aumentar a densidade de transistores

25 de Maio de 2026 às 06:24

A Huawei apresentou a tecnologia LogicFolding Design para chips, que aumenta a configuração de transistores em 53,5% e a frequência de operação em 12,7%. A inovação reduz custos em 30% e visa elevar a densidade dos processadores Kirin para 238 MTR/mm² e a frequência para 3,10 GHz em 2026

Huawei apresenta tecnologia de encapsulamento de chips para aumentar a densidade de transistores
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A Huawei apresentou a tecnologia "LogicFolding Design" durante a palestra "Novos Caminhos em Semi-Condutores na Prática", realizada no IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) de 2026. A inovação foca no encapsulamento de chips como estratégia para manter a competitividade diante da impossibilidade de acessar máquinas de litografia ultravioleta extrema (EUV).

O novo design promove um aumento de 53,5% na configuração de transistores e eleva a frequência de operação em 12,7%. Para 2026, a meta é que os processadores Kirin alcancem uma densidade de 238 MTR/mm², permitindo que os núcleos de desempenho operem a 3,10 GHz. Esse valor representa um avanço frente aos 2,75 GHz do Kirin 930 Pro, embora permaneça abaixo dos 5,00 GHz testados pela Qualcomm no Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro.

Além do ganho de velocidade, o LogicFolding amplia a eficiência dos núcleos de performance em 41%, o que reduz o consumo energético dos futuros SoCs Kirin. Esse resultado, integrado ao uso de baterias de silício-carbono nos smartphones das linhas Mate e Pura, deve prolongar a autonomia dos dispositivos.

A implementação da tecnologia também viabiliza a redução de custos em 30%. Atualmente, para atingir a litografia de 5nm utilizando equipamentos DUV mais antigos, a Huawei depende de técnicas de multi-patronagem, processo oneroso e sujeito a falhas nos wafers. O novo encapsulamento mitiga esses problemas financeiros e técnicos.

A empresa planeja aprimorar o LogicFolding anualmente. A meta estabelecida para 2031 prevê a expansão da densidade de transistores para mais de 400 MTR/mm² e o alcance de uma frequência de 5,00 GHz.

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