Micron testa novos módulos de memória DDR5 de 256 GB para servidores de alta performance

A Micron Technology iniciou a fase de testes de seus novos módulos de memória DDR5 RDIMM com capacidade de 256 GB, desenvolvidos para atender à infraestrutura de servidores de alta performance. Equipados com a tecnologia 1-gamma, esses componentes alcançam velocidades de até 9.200 MT/s, o que representa um incremento de desempenho superior a 40% em comparação aos módulos produzidos em larga escala atualmente.

O desenvolvimento desses módulos responde à crescente demanda por maior largura de banda e capacidade de memória em data centers, impulsionada pela expansão de modelos de linguagem grandes (LLMs), inferência em tempo real, IA agenciada e cargas de trabalho de CPUs com alto número de núcleos. Para viabilizar esse salto técnico, a empresa aplicou técnicas de empilhamento 3D (3DS) e múltiplas dies de memória conectadas por vias através do silício (TSVs).

Além do ganho de velocidade, a nova arquitetura foca na eficiência energética. A utilização de um único módulo de 256 GB reduz o consumo de energia em mais de 40% quando comparada ao uso de dois módulos de 128 GB, facilitando a operação de sistemas de IA de próxima geração dentro dos limites térmicos e elétricos das instalações modernas.

Atualmente, a Micron trabalha em conjunto com parceiros do ecossistema de servidores para validar a compatibilidade dos módulos em plataformas atuais e futuras. Essa etapa de validação conjunta visa acelerar a implementação em produção para clientes que operam infraestruturas de computação de alto desempenho (HPC) e inteligência artificial em larga escala. O movimento ocorre em um cenário onde a JEDEC já eleva o padrão DDR5 MRDIMM para 12.800 MT/s.