Samsung desenvolve protótipo de memória V-NAND com 900 camadas para ampliar capacidade de armazenamento

A Samsung desenvolveu o primeiro protótipo de memória V-NAND com 900 camadas, aproximando-se da meta de atingir 1.000 camadas até 2030. Para viabilizar essa densidade, a companhia utilizou a tecnologia CMB (Cell Multi-Bonding), que consiste na combinação de duas pilhas de 450 camadas em um único dispositivo.

O avanço técnico permitiu a superação de barreiras físicas na fabricação, como a distorção do wafer, resolvida com a implementação do Upper Chuck Design. Além disso, a empresa aplicou tecnologias de "Overlay Correction" para corrigir problemas de desalinhamento durante o processo.

Na prática, essa evolução amplia significativamente a capacidade de armazenamento em SSDs destinados a diversos segmentos, desde o mercado consumidor — como smartphones, laptops e desktops — até infraestruturas corporativas e servidores.

O cenário competitivo do setor de semicondutores apresenta diferentes estágios de desenvolvimento. A SK Hynix detém a liderança atual com a tecnologia NAND de 321 camadas, enquanto trabalha no desenvolvimento de versões com 400 camadas via Bonding Híbrido. A Samsung também planeja lançar memórias com mais de 400 camadas nos próximos anos, utilizando a técnica de Bonding Vertical.

Paralelamente, a chinesa YMTC (Yangtze Memory Technologies Co) comercializa dispositivos de 232 e 294 camadas. A empresa chinesa está expandindo sua capacidade de produção de wafers com novas fábricas para suprir a alta demanda gerada pelo ciclo de inteligência artificial. Para o futuro a longo prazo, a Samsung projeta a utilização de materiais ferroelétricos para viabilizar a tecnologia de 1.000 camadas.