Samsung implementa dissipador de cobre no Exynos 2600 para otimizar a transferência térmica do chip

A Samsung implementou no processador Exynos 2600 a tecnologia Heat Pass Block (HPB), que consiste na instalação de um dissipador de cobre sobre o chip para otimizar a transferência térmica. A inovação visa solucionar a limitação do sistema Package-on-Package (PoP), padrão utilizado por fabricantes como a Apple, no qual a memória DRAM é empilhada sobre o silício. Essa estrutura convencional costuma causar a redução rápida do desempenho, já que o calor da memória impede a estabilidade do processador.

Testes realizados pelo YouTuber Geekerwan demonstraram a eficácia do HPB ao compará-lo com o Snapdragon 8 Elite Gen 5. Mesmo submetido ao resfriamento extremo por nitrogênio líquido, o SoC da Qualcomm não conseguiu manter as velocidades de clock de núcleo único, enquanto a solução da Samsung apresentou resultados superiores.

Apesar da eficiência da tecnologia, o Exynos 2600 no Galaxy S26+ ainda apresenta throttling térmico. Isso ocorre porque o modelo S26+ possui um dissipador menos robusto do que as versões Galaxy S26 Ultra e iPhone 17 Pro Max. Para mitigar esse efeito em sessões prolongadas de jogos, é possível utilizar um acessório de ventilação externa fixado na traseira do aparelho, alternativa mais segura e viável que o uso de nitrogênio líquido.

O impacto do HPB no controle de temperatura deve influenciar a indústria. Vazamentos do projeto do Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro indicam que o primeiro processador de 2nm da Qualcomm poderá adotar esse sistema de resfriamento, tendência que deve ser seguida por MediaTek e Apple. Para a próxima geração, o Exynos 2700, a Samsung planeja a arquitetura "lado a lado" (SBS), evoluindo o conceito do HPB para resfriar simultaneamente a CPU e a memória DRAM.