SK Hynix planeja iniciar a produção de memórias NAND de 375 camadas até o final de 2026

A SK Hynix planeja iniciar a produção em massa de sua solução NAND de 375 camadas até o final de 2026, visando ampliar a capacidade de armazenamento de seus dispositivos. A empresa já concluiu a fase de verificação da tecnologia e adaptará suas fábricas atuais, que hoje produzem a linha V9 de 321 camadas, para implementar o novo processo.

Internamente, a companhia denomina a tecnologia de 375 camadas como "400 camadas", tendo optado por remover camadas adicionais para superar obstáculos técnicos no empilhamento de chips. Para viabilizar gerações futuras, com 480 e 604 camadas, a SK Hynix substituirá o filme de tungstênio por molibdênio. A mudança de material é necessária porque o tungstênio perde resistência elétrica à medida que as conexões se tornam mais finas, prejudicando a transmissão de sinal, enquanto o molibdênio oferece maior estabilidade.

Essa transição materializa a disputa tecnológica com a Samsung, que já utiliza molibdênio e deve otimizar seus processos ainda este ano para lançar os primeiros produtos V-NAND de 400 camadas. A fabricante sul-corena projeta, inclusive, soluções de empilhamento duplo que podem atingir 1.000 camadas.

O avanço na densidade de armazenamento impulsiona a receita do setor, mas exige um volume crescente de insumos. A demanda por molibdênio deve subir drasticamente: a Samsung adquiriu 4 toneladas no ano passado e 10 toneladas no período atual, enquanto a SK Hynix deve consumir cerca de 4 toneladas. A projeção de consumo global do material é de 25 toneladas em 2027, 40 toneladas em 2028, 60 toneladas em 2029 e 80 toneladas em 2030.